技术参数：

1.电子光学系统
1.1高电压二次电子分辨率：0.5nm @15kV；

1.2低电压二次电子分辨率：0.8nm @1kV；
1.3超低电压二次电子分辨率：0.8nm @500V；1.2nm @200V；
1.4大束流二次电子分辨率：1.9nm@15kV（工作距离10mm，束流6.5nA下）；
1.5大工作距离分辨率：工作距离WD=10mm时，1kV下分辨率＝1.0nm；
1.6电子束流范围：1.0pA~50nA；
1.7光阑：自加热式光阑，确保清洁和无接触式光阑更换；
1.8复合式透镜，具备静电式透镜和浸没式透镜两种模式，可切换不同模式，可测试磁性样品；
1.9采用肖特基热场发射电子枪；
2样品室和样品台
2.1样品室：内宽350mm，分析工作距离10mm，端口20个；
2.2样品台：五轴马达驱动，X移动范围125mm，Y移动范围125mm，Z移动范围65mm，T倾斜角度-15°～+90°，n*360°旋转；
2.3配备电子束减速模式：样品台偏压范围-4000V至+600V；
2.4配备极靴清理模块,用于清洗极靴内部的灰尘颗粒等污染物；
3探测器和相机
3.1样品室二次电子探测器1个；
3.2透镜内二次电子探测器1个；
3.3透镜内高敏感背散射电子探测器1个，可在20V电压下采集背散射电子图像，适用于各类不导电和导电样品背散射电子图像观察；
3.4镜筒内高分辨二次电子探测器1个，可探测样品电位衬度；
3.5电子束束流计1个；
3.6红外CCD相机1个；
3.7宏观导航相机（安装在样品仓内）1个，视野160*105mm，3072*2048像素，至少具备自动图像采集、数字变焦、图像注释、图像保存功能；
3.8独立探测器和相机的数量8个；
4数字图像记录系统
4.1图像存储分辨率：不低于65k ×65k像素（非叠加下）；
4.2一键实现光路自动合轴、自动消像散及自动聚焦；
4.3四活动窗口显示，可同时显示6幅不同探测器图像；
5应用软件
5.1配置自动图像拍照和拼接软件，可实现不小于7×24小时无人值守自动拍照和图像拼接，可实时对已选定视场进行回溯；
5.2电镜操作具备取消重做功能，可返回任意一步操作；
5.3具有样品台图像导航功能，双击鼠标移动样品功能，鼠标拖曳式放大及对中功能；
5.4具有基础操作应用的向导，使用超链接操作电镜，实现新手快速入门；
6电制冷能谱仪
6.1探测器：硅漂移（SDD）电制冷探测器，100平方毫米有效面积；
6.2能量分辨率：在100,000CPS条件下Mn Ka保证优于129eV；
6.3自动谱峰识别和用户辅助手动谱峰识别，动态无标准定量；
6.4自动马达台控制能谱仪的伸缩，确保能谱仪能自动到达理想探测位置；
7离子溅射仪：可对样品进行镀金，适用于场发射扫描电子显微镜观察。